霍爾效應是磁電效應的一種，這一現象是霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機構時(shí)發(fā)現的。

后來(lái)發(fā)現半導體、導電流體等也有這種效應，而半導體的霍爾效應比金屬強得多，當電流垂直于外磁場(chǎng)通過(guò)導體時(shí)，載流子發(fā)生偏轉，垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì )產(chǎn)生一附加電場(chǎng)，從而在導體的兩端產(chǎn)生電勢差，這一現象就是霍爾效應，這個(gè)電勢差也被稱(chēng)為霍爾電勢差?；魻栃獞褂米笫侄▌t判斷。

在式(1)中：若保持控制電流Ic不變，在一定條件下，可通過(guò)測量霍爾電壓推算出磁感應強度的大小，由此建立了磁場(chǎng)與電壓信號的聯(lián)系，根據這一關(guān)系式，人們研制了用于測量磁場(chǎng)的半導體器件即霍爾元件。

霍爾效應的本質(zhì)是：固體材料中的載流子在外加磁場(chǎng)中運動(dòng)時(shí)，因為受到洛侖茲力的作用而使軌跡發(fā)生偏移，并在材料兩側產(chǎn)生電荷積累，形成垂直于電流方向的電場(chǎng)，使載流子受到的洛侖茲力與電場(chǎng)斥力相平衡，從而在兩側建立起一個(gè)穩定的電勢差即霍爾電壓。

正交電場(chǎng)和電流強度與磁場(chǎng)強度的乘積之比就是霍爾系數。平行電場(chǎng)和電流強度之比就是電阻率。大量的研究揭示：參加材料導電過(guò)程的不僅有帶負電的電子，還有帶正電的空穴。